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流延法制备AlN陶瓷基板的研究

曹峻 , 张擎雪 , 庄汉锐 , 邬凤英

无机材料学报

从颗粒尺寸、浆料流体类型、干燥条件、排胶机制等方面对流延法制备ＡｌＮ陶瓷基板展开了较为系统的研究．结果表明，颗粒尺寸的不同直接影响到浆料粘度及分散剂用量．适于ＡｌＮ流延成型的浆料流体类型属于假塑性流体．保持一定的溶剂气氛有利于获得表面平整光滑的流延素坯膜．二次排胶有利于排除ＡｌＮ流延素坯膜中的残余碳．烧结后基板的断口ＳＥＭ照片表明晶粒发育较为完善，无明显开气孔，断裂模式为沿晶断裂．

关键词: 氮化铝基板 , tape casting , pseudo plastic fluid , twice-debinding process , intercrystalline fracture

流延成型制备(Na_0.85K_0.15)_0.5Bi_0.5TiO₃陶瓷的显微结构及性能

高峰 , 张昌松 , 赵鸣 , 王卫民 , 田长生

无机材料学报 doi:10.3724/SP.J.1077.2006.01134

采用流延成型工艺制备了(Na_0.85K_0.15)_0.5Bi_0.5TiO₃无铅压电陶瓷, 研究了陶瓷退火前后的显微组织结构, 结果表明陶瓷主晶相为钙钛矿相结构, 并伴随有形貌呈针状的第二相K₂Ti₆O₁₃出现; 陶瓷断面和表面的晶粒形貌有差别, 采用退火处理无法消除第二相K₂Ti₆O₁₃,但可有效改善陶瓷断面的晶粒形貌, 同时增大材料的矫顽场, 并使剩余极化强度(Pr)、压电常数(d₃3)、介电常数(ε)与介电损耗(tanδ)变小. (Na_0.85K_0.15)_0.5Bi_0.5TiO₃无铅压电陶瓷的电滞回线表现出明显铁电体的特征, 其矫顽场为2680V/mm, Pr达36.6μC/cm², d₃₃达113pC/N, K_p为0.27, Q_m达154.

关键词: 无铅压电陶瓷 , microstructure , tape casting , piezoelectric properties

平板式 ITSOFC用 Al₂O₃基压密封材料研究

桑绍柏 , 李炜 , 蒲健 , 李箭

无机材料学报 doi:10.3724/SP.J.1077.2008.00841

以Al₂O₃和Al微粉为主要原料, 采用流延成型工艺生产的Al₂O₃基密封材料, 在模拟的平板式ITSOFC密封环境中对材料的密封性能进行测试, 并借助X射线衍射仪、扫描电子显微镜对测试后的材料进行表征. 结果表明, 采用优化的流延成型工艺可以生产出柔韧性良好的Al₂O₃基密封材料. Al₂O₃基密封材料在较小的外加压力下表现出较好的密封性能. Al微粉的加入, 减少了材料中的漏气通道, 增加了漏气通道的弯曲程度, 不仅提升了材料的密封效果, 而且改善了材料的中期稳定性. 采用流延成型含10wt%~20wt%Al微粉的Al₂O₃基密封材料以压密封方式来实现平板式ITSOFC的密封是可行的.

关键词: 固体氧化物燃料电池 , seal , Al₂O₃ , tape casting

流延法制备片式CaCu3Ti4O12陶瓷及其性能研究

李伟 , 熊兆贤 , 薛昊

无机材料学报 doi:10.15541/jim20140255

片式CaCu3Ti4O12陶瓷由于其巨介电效应,用于制备多层陶瓷片式电容具有重大意义.通过水基流延法并在不同的烧结温度下制备的片式CaCu3Ti4O12陶瓷具有优异的介电性能.其中在1080℃下烧结的样品在保持巨电容率(98605)的同时,降低了介电损耗,其值只有0.028,远低于其他报道的损耗值.同时,测试了CCTO陶瓷薄片的复阻抗图谱,讨论了CCTO陶瓷的特殊的电学性能.实验结果表明,通过流延成型制备的CCTO陶瓷薄片在保持巨电容率的同时具有很低的介电损耗,这为CCTO陶瓷在微电子工业上的应用提供了可能性.

关键词: 钙钛矿 , 流延法 , 介电性能 , 晶界

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